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NB685开关变换器和控制器降压(Buck)|芯源代理商

文章出处: 人气:发表时间:2022-08-03 22:36

NB685 可 为 DDR3 、 DDR3L 、 LPDDR3 和 DDR4 存储器应用提供整套高密度电源解决方 案。它集成了一个高频同步整流降压开关变换器 (VDDQ),具有 1A 的灌/拉电流 LDO(VTT) 以及缓冲低噪声参考输出(VTTREF)。

NB685 基于 MPS 独有的开关损耗降低技术和低 导通阻抗功率 MOSFET,能在宽输出电流负载 范围内高效工作。 自适应恒定导通时间控制模式(COT)提供了快 速瞬态响应,并使环路更易稳定。DC 自动调节 环路提供了较好的负载和线性调整率。 VTT LDO 提供了 1A 的灌/拉电流能力,输出电 容仅需 22μF 的陶瓷电容即可。VTTREF 追踪 VDDQ/2 的值,精度为 1%。 全方位的保护功能包括过流限保护、过压保护、 欠 压 保 护 、 过 温 关 断 保 护 和 过 温 警 报 功 能 (OTW)。

该变换器采用 QFN 3mm x 3mm 封装,最大限 度地减少了外部元器件的使用数量。
 

产品特性和优势

  • 4.5V 至 26V 宽输入工作电压范围
  • 兼容 IMVP8
  • 135μA 低静态电流
  • 12 A 连续输出电流
  • 13 A 峰值输出电流
  • 可选的超音频模式
  • 500K/750k 可选开关频率
  • 内置 +/- 1A VTTLDO
  • 1% 的低噪声 VTTREF 输出
  • 用于快速瞬态响应的自适应 COT
  • DC 自动调节环路
  • 采用 POSCAP 和陶瓷输出电容器可稳定工作 
  • 过温警报功能(OTW)
  • 内部软启动
  • 输出放电功能
  • OCL, OVP, UVP 和过温关断保护
  • 通过 EN 或电源重启锁定复位
  • 采用 QFN 3mm x 3mm 封装。


正在供货产品型号

 

NB685GQ-P NB685GQ-Z


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