LPM3400B3F N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
文章出处:
人气：发表时间：2024-01-25 15:58
LPM3400是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。
这些设备特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他需要高侧开关的电池供电电路。
1、特点
•20V/4.2A，RDC（ON）≤50mΩ（典型值）VGS=4.5V
•20V/3.9A，RDC（ON）≤63mΩ（典型值）VGS=2.5V
•20V/3.0A，RDC（ON）≤87mΩ（典型值）VGS=1.8V
•超高密度电池设计，适用于极低RDC（ON）
•SOT23包
2、应用
•便携式媒体播放器
•蜂窝和智能手机
•液晶显示器
•DSC传感器
•无线网卡
此文关键字：LPM3400B3F
同类文章排行
- MP9487 P2P国产替代料JW9563高压降压开关调节器
- BMS上MP9487国产完美替代型号JW5143P降压变换器
- SDC141是一款锁定型的霍尔开关集成电路_光大芯业
- SDC1181是一款锁存型霍尔开关集成电路_SDC1181规格
- SDC49E是一款线性霍尔效应传感器IC_SDC49E中文资料
- TPA1862-SR 36V, 6MHz, Zero Drift Op Amps
- MP1542DK-LF-Z电流模式升压转换器-MPS
- MP2130DG-LF-Z降压开关变换器_MP2130DG-LF-Z中文资料
- MP8765GQ-Z整流降压开关变换器_MP8765GQ-Z中文资料
- TP324-SR General Purpose, 1MHz, Micro-Power CMOS Op-Amps