NB673 控制模式同步降压变换器_NB673中文资料

NB672/NB673可为DDR3、DDR3L和LPDDR2存储器提供最高功率密度的完整电源解决方案。

它集成了一个高频同步整流降压开关变换器（VDDQ），具有1.5A的灌/拉电流LDO（VTT）以及缓冲低噪声参考输出（VTTREF）。这款全集成降压变换器可以在宽输入范围内实现6A/8A连续输出电流和8A/10A峰值输出电流，具有出色的负载和线性调整率。它采用恒定导通时间控制模式（COT），可提供快速瞬态响应，并使环路更易稳定。VTT LDO提供了1.5A的灌/拉电流能力，输出电容仅需10μF的陶瓷电容即可。

VTTREF追踪VDDQ/2值，精度达到1%。其欠压锁定阈值默认设置为4.5V。通过一个开漏电源正常指示（PG）信号来指示输出电压是否在正常范围内。全方位保护功能包括过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和过温关断保护。该变换器最大限度地减少了外部元器件的使用，采用QFN21(3mmx4mm)封装。

NB672/NB673产品特性和优势

宽工作输入电压范围：5V至24V

6A连续输出电流和8A峰值输出电流(NB672)

8A连续输出电流和10A峰值输出电流(NB673)

内置+/-1.5A VTTLDO

内部低导通电阻功率MOSFETs

专有开关损耗降低技术

内部软启动

输出放电功能

开关频率：500kHZ

过流保护（OCP）、过压保护（OVP）和欠压保护（UVP）和过温关断保护

VDDQ可调范围：0.604V至5.5V

正在供货产品型号：NB673GL-P NB673GL-Z