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我们的功率分立产品是适用于各种高电压和高功率应用的高质量解决方案。它们包括各种高压开关模式电源 (SMPS) 晶体管 — 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)、碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 MOSFET—二极管和射频 (RF) MOSFET。其中许多产品提供单封装和组合封装选项,具有各种额定电压、电流和封装类型。
碳化硅 (SiC) 半导体
碳化硅 (SiC) 半导体是提高系统效率、支持更高工作温度和降低电力电子设计成本的创新新选择。
二极管和整流器器件
我们提供四个系列的分立二极管产品:中速中频硅D系列,高速硅DQ系列,硅肖特基S系列和SiC肖特基势垒二极管系列(见碳化硅半导体)。
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
我们的IGBT产品组合包括六个产品系列,采用三种不同的IGBT技术:非穿透(NPT)、穿透(PT)和现场停止。
射频场效应管
我们的射频电源产品涵盖 2 MHz 至 150 MHz、50V 至 300V 电源电压和 50W 至 3 kW 输出功率。您可以在半导体资本设备、MRI、CO2 激光器和通信等应用中使用这些设备。
功率场效应管
我们广泛的硅 MOSFET 旨在最大限度地提高性能和可靠性,包括标准功率 MOSFET、抗辐射 MOSFET、FREDFET、超快 MOSFET、超结 MOSFET 和线性 MOSFET。
高可靠性电源管理
我们拥有业内最广泛的合格MIL-PRF-19500器件产品组合,并增加了额外的筛选功能,以满足您设计的严格要求。
有关我们最新的功率分立和模块产品的信息,请下载我们的功率分立和模块产品组合手册。我们会定期更新本手册,以包括有关产品选项(高压SMPS晶体管、二极管、RF MOSFET和功率模块)、零件耐用性、零件编号系统、封装轮廓等的最新信息。