内存产品|Microchip
- 世界上最可靠的内存 我们今天使用的电子系统需要某种形式的存储器来存储数据和软件。作为高品质存储器产品的领先供应商，我们提供广泛的串行EEPROM、串行EERAM、并行EEPROM、OTP EP
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世界上最可靠的内存
我们今天使用的电子系统需要某种形式的存储器来存储数据和软件。作为高品质存储器产品的领先供应商，我们提供广泛的串行EEPROM、串行EERAM、并行EEPROM、OTP EPROM、串行闪存、并行闪存、串行SRAM、NVSRAM和加密存储器安全IC产品组合，以满足您的存储器®需求。我们还提供业界首款商用串行存储器控制器，用于高性能数据中心计算应用。我们广泛的测试协议确保了行业领先的稳健性和耐用性以及一流的质量，从而在产品的整个生命周期内为您提供可靠的产品、可靠的技术支持和一致的设备供应。
特种存储器产品
耐辐射记忆
汽车级内存
记忆链接产品选择工具
MemoryLink 产品选择工具是一个很好的发现工具，它提供了我们所有内存产品和支持开发板的全面概述。此交互式工具包含可选链接，可让您快速导航到特定于产品的信息。为方便起见，它可作为在线网络工具或可下载的PDF提供。
串行EEPROM
串行EEPROM是低功耗、非易失性存储器器件，具有强大的工作范围、小尺寸和字节可变性，使其成为数据和程序存储的理想选择。串行EEPROM可以写入超过一百万次。
128 位至 4 Mbit
提供 I2C、SPI、微线、单线和 UNI/O® 总线模式
串行EERAM
EERAM是一种非易失性SRAM，带有影子EEPROM备份。数据在断电时使用一个小的外部电容器自动备份到EEPROM上。与NVSRAM不同，不需要外部电池。该器件将EEPROM的可靠性与SRAM的性能相结合。EERAM为存储器提供无限的擦除和写入周期。
4 Kbit 至 16 Kbit
行业标准 I2C
采用 SOIC-8、TSSOP-8、TDFN-8 封装
了解更多信息
串行闪存
我们的串行四通道 I/O™ （SQI） 和 SPI™ 闪存器件采用我们专有的高性能 CMOS 超级闪存®技术制造，可显著提高性能（在 25 毫秒内擦除任何块）和可靠性（100 年数据保留），同时降低功耗。
512 Kbit 至 64 Mbit （3V） 和多种密度（1.8V）
SQI 闪存设备：高达 104 MHz，包括高级安全功能
并行闪存
我们的多用途并行闪存采用我们专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造，该技术可显着提高性能（在不到25毫秒的时间内擦除任何块）和可靠性（100年数据保留），同时降低功耗。
1 Mbit 至 64 Mbit （3V） 和多种密度（5V 和 1.8V ）
高级 MPF+ 中提供的卓越读取性能和安全功能
串行单功率存储器
串行SRAM是一种独立的易失性存储器，提供了一种简单而廉价的方式来为您的应用添加更多RAM。这些 8 引脚器件具有无限的耐用性和零写入时间。
64 Kbit 至 1 Mbit
SPI、SDI 和 SQI 总线模式
串行NVSRAM
串行NVSRAM通过外部电池提供低成本、非易失性RAM存储，非常适合需要经常写入存储器的应用。
512 Kbit 至 1 Mbit
电池备份
并行EEPROM
并行EEPROM提供强大的非易失性存储器，读取时间比串行EEPROM更快，适用于电信、航空电子、军事和其他应用中的直接代码执行和高可靠性数据存储。
64 Kbit 至 1 Mbit，具有 2.7V 和 5V 选项
并行数据访问，类似于用于读写周期的静态 RAM。
一次性密码
一次性可编程 （OTP） EPROM 技术具有快速并行访问时间，可提供安全、不可更改的内存，以实现出色的固件和数据保护。
256 Kbit 至 8 Mbit，具有 5V、3V 和电池电压 2.7V 选项
快速编程算法：100 μs/字节
